[비즈니스포스트] SK하이닉스가 미국 반도체장비 전문기업 램리서치와 손잡고 반도체 미세공정에 활용하는 EUV(극자외선)공정 기반의 D램 생산수율을 높이는 기술을 도입한다.

삼성전자와 마이크론 등 미세공정 D램 메모리반도체 생산체계 구축에 속도를 내는 경쟁사에 맞서 차세대 D램 생산효율 및 성능을 끌어올리기 위한 목적으로 분석된다.

램리서치는 15일 보도자료를 내고 SK하이닉스가 램리서치의 최신 드라이레지스트 기술을 도입한다고 발표했다.

드라이레지스트 기술은 반도체를 생산할 때 쓰이는 포토레지스트 소재를 액체가 아닌 건식으로 만들어 웨이퍼에 부착하는 방식으로 램리서치가 독자적 기술을 보유하고 있다.

특히 EUV공정을 활용한 미세공정 반도체를 생산할 때 수율을 높여 큰 장점을 발휘할 수 있다.

램리서치는 드라이레지스트 기술이 반도체 미세공정 구현에 ‘게임체인저’ 역할을 할 것이라며 EUV공정 도입에 가장 난관이었던 원가효율을 크게 개선할 것이라는 점을 강조했다.

SK하이닉스는 램리서치의 신기술을 EUV공정 기반 미세공정 D램 생산에 활용한다.

D램에 10나노대 미세공정 기술을 구현하기 위해 EUV장비를 활용하면 반도체 크기를 줄여 생산 효율과 성능을 높일 수 있지만 기술 난이도가 높아져 수율은 낮아진다는 문제가 있다.

SK하이닉스뿐 아니라 삼성전자와 마이크론 등 주요 D램업체는 이런 한계를 고려해 미세공정 D램에 EUV장비를 도입해 신공정 도입에 속도를 내는 데 모두 어려움을 겪고 있었다.

그러나 SK하이닉스가 이번에 드라이레지스트 기술을 본격적으로 활용하기로 한 점은 EUV공정 기반의 D램 양산을 본격화하는 데 속도를 내겠다는 의미로 해석할 수 있다.

램리서치의 드라이레지스트는 미세공정 D램의 생산수율을 높일 뿐만 아니라 웨이퍼 표면을 더 균일하게 만들어 반도체 성능을 높이는 효과도 있다.

액체 기반의 포토레지스트를 활용할 때보다 전력 사용량이나 소재 수요가 훨씬 적다는 점도 앞으로 SK하이닉스의 미세공정 D램 생산에 장점으로 꼽힌다.

현재 세계 D램시장에서 미세공정 기술 상용화에 가장 앞서나가는 기업은 12나노 D램 양산 시기를 확정하고 11나노 개발 계획도 발표한 미국 마이크론으로 꼽힌다.

삼성전자는 12나노 D램 개발 계획을 발표했지만 구체적 양산 시기는 발표하지 않았고 SK하이닉스 역시 해당 공정을 언제부터 D램 생산에 활용할 지 뚜렷하게 밝히지 않았다.

그러나 램리서치와 협력을 통해 EUV공정을 본격적으로 도입한다면 차세대 미세공정 기반의 D램 기술 개발과 양산에 더욱 속도가 붙을 것으로 전망된다.

램리서치는 최근 SK하이닉스 반도체공장과 인접한 경기 용인에 연구개발센터를 새로 열고 SK하이닉스를 비롯한 주요 고객사와 기술 협력을 확대하고 있다.

SK하이닉스는 램리서치 보도자료를 통해 “EUV공정 도입은 고객사 수요에 맞춰 알맞은 가격에 D램을 공급하기 위해 반드시 필요한 과정”이라고 강조했다. 김용원 기자