DB하이텍이 5G(5세대 이동통신)용 무선주파수 프론트엔드(RF프론트엔드) 반도체부품의 신공정을 확보했다.

DB하이텍은 최근 130나노미터 기술에 기반을 둔 ‘RF SOI(Silicon on Insulator)’ 공정과 110나노 기술 기반의 ‘RF HRS(High Resistivity Substrate)’ 공정을 확보했다고 12일 밝혔다.
 

새 공정을 기반으로 5G용 무선주파수 프론트엔드사업 확대에 본격적으로 나서기로 했다.

무선주파수 프론트엔드는 IT기기들 사이 송수신 기능을 담당하는 무선통신의 필수제품이다. 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기 등 반도체부품들이 한데 모인 모듈 형태로 구성된다.

이번에 DB하이텍이 확보한 공정은 무선주파수 프론트엔드의 반도체부품들 가운데 스위치와 저잡음증폭기를 만드는 데 활용된다.

스위치는 주파수 송수신기능을 켜거나 끄는데, 저잡음증폭기는 주파수를 증폭해 보다 정확한 신호를 전달하는 데 쓰인다. 두 부품 모두 5G(5세대 이동통신) 등 고속통신에서 핵심적 역할을 한다.

DB하이텍은 130나노 기반 RF SOI 공정으로 만들어지는 스위치와 관련해 세계 최고 수준의 성능을, 110나노 기반 RF HRS 공정 스위치는 가격 경쟁력을 각각 강점으로 꼽았다.

저잡음증폭기의 경우 RF SOI 공정 제품은 최대 차단주파수(Cut-off Frequency)가 120GHz, RF HRS 공정 제품은 최대 차단주파수가 100GHz다.

DB하이텍은 올해 상반기 안에 두 공정 모두 차단주파수 150GHz 이상의 저잡음증폭기를 지원할 수 있도록 개발 중이다.

무선통신기술이 5G로 발전하면서 고주파, 고감도 특성을 지닌 고속통신 수요가 지속적으로 확대되면서 무선주파수 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다. 

DB하이텍은 무선주파수 프론트엔드 시장이 2019년 124억 달러(14조7천억 원가량) 수준에서 2025년 217억 달러(25조8천억 원가량) 수준까지 가파르게 성장할 것이라고 전망했다. [비즈니스포스트 강용규 기자]