삼성전자가 4나노급 공정 등 차세대 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 지속해서 개발하고 있다.

삼성전자는 30일 2분기 실적 콘퍼런스콜을 통해 “4나노급 개발 중단 소문은 사실무근”이라며 “현재 4나노급 1세대 공정 개발 및 양산 준비가 차질없이 진행되고 있으며 추가로 4나노급 2세대 공정도 개발하고 있다”고 밝혔다. 
 

이에 앞서 외국언론에서는 삼성전자가 4나노급 공정 개발을 중단하고 3나노급 공정을 바로 개발하기 시작했다는 보도가 나왔다. 또 삼성전자가 5나노급 공정 수율(생산품 대비 양품 비율)을 개선하는 데 어려움을 겪고 있다는 보도도 있었다.

삼성전자는 “5나노급 공정은 2분기 양산에 착수해 하반기에 양산할 예정”이라며 “수율은 기존 계획대로 개선을 진행하고 있다”고 말했다.

차세대 D램 DDR5 양산계획도 내놓았다.

인텔과 AMD 등 중앙처리장치(CPU)기업에서 DDR5를 지원하는 제품을 2022년 안에 출시할 것으로 내다봤다. 이런 로드맵에 맞춰 2021년 하반기부터 DDR5를 출하하기로 했다.

낸드플래시에 관해서는 싱글스택 기반 6세대 수직 적층 낸드플래시(V낸드)의 수율 향상을 순조롭게 진행해 하반기부터 생산량을 확대(램프업)할 것으로 내다봤다. 싱글스택은 낸드플래시 적층을 한 번에 진행하는 형태를 말한다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]