삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용해 D램 양산체제를 갖췄다.

삼성전자는 EUV 공정으로 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만 개 이상을 글로벌 고객사에 공급해 평가를 마쳤다고 25일 밝혔다.
 

극자외선 공정이란 불화아르곤레이저 등 기존 광원 대신 극자외선을 활용해 훨씬 더 미세한 회로를 새기는 것을 말한다.
 
이 공정은 반도체 성능과 수율(생산품 대비 양품 비율)을 높이고 제품 개발기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술도 개발하고 있다. 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배가량 향상되는 것으로 알려졌다.
 
삼성전자는 2021년부터 4세대 10나노급 D램 DDR5, LPDDR5 등을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 개발해 메모리시장에서 기술 경쟁력을 더욱 강화한다는 전략을 세웠다.
 
또 DDR5, LPDDR5시장의 확대에 맞춰 글로벌 고객과 기술협력을 강화함으로써 미래 시스템에서 D램 신제품 탑재비중을 늘리기로 했다. 
 
하반기에는 경기도 평택에서 신규 생산라인을 가동해 프리미엄 D램 수요에 대응할 수 있는 양산체제를 구축한다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT시장이 성장하는 데 기여할 것"이라고 말했다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]