삼성전자가 올해 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체에 들이는 시설투자금액이 반도체업계 역사상 가장 큰 규모에 이를 것으로 전망됐다.

삼성전자의 공격적 증설이 SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사의 시장점유율에 타격을 주겠지만 중국업체들의 시장진입을 방어하는 데 효과적일 것이라는 분석이 나온다.
 

16일 시장조사기관 IC인사이츠 홈페이지의 분석자료에 따르면 올해 전 세계 반도체기업의 시설투자금은 지난해보다 35% 급증한 908억 달러(약 100조 원)에 이를 것으로 전망됐다.

이 가운데 삼성전자의 시설투자가 260억 달러(약 29조 원) 규모로 가장 클 것으로 예상됐다. 지난해 삼성전자 반도체 투자금액인 113억 달러의 2배를 넘는 것이다.

빌 맥클린 IC인사이츠 대표는 “삼성전자의 올해 시설투자는 반도체산업 전체 역사에서 가장 큰 규모”라며 “전 세계 반도체업계에 중장기적으로 영향을 미치기 충분하다”고 밝혔다.

IC인사이츠는 특히 전 세계 반도체기업들의 투자경쟁이 치열하게 벌어지는 3D낸드 분야에서 삼성전자의 투자확대가 공급과잉을 불러올 가능성이 높다고 봤다.

삼성전자의 시설투자가 3D낸드분야에 가장 집중된 데다 낸드플래시의 경우 도시바와 웨스턴디지털, SK하이닉스와 마이크론 등 다수 업체들이 경쟁을 벌이는 사업이기 때문이다.

삼성전자는 3D낸드에 140억 달러, D램에 70억 달러, 시스템반도체 위탁생산 등에 50억 달러를 각각 투자할 것으로 추정됐다.

IC인사이츠는 “SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁기업은 삼성전자에 대응해 반도체 시설투자를 확대하거나 시장점유율을 잃어야 하는 처지에 놓이게 될 것”이라고 바라봤다.

삼성전자가 반도체에 투자공세를 강화하는 이유는 중국기업들의 시장진입을 막기 위한 것으로 분석됐다. 중국은 정부 차원의 지원으로 반도체 기술력과 생산능력을 가파르게 끌어올리고 있다.

하지만 IC인사이츠는 중국 반도체 신생기업들이 삼성전자와 SK하이닉스 등 상위업체에 맞설 정도의 D램과 3D낸드 기술력을 확보하는 것은 쉽지 않다고 바라봤다. 
 

노근창 현대차투자증권 연구원도 중국 국영반도체기업 XMC가 내년 말부터 3D낸드 양산을 시작할 것으로 보이지만 실제로 업계에 미치는 영향은 크지 않을 것으로 예상했다.

XMC는 내년에 전 세계 3D낸드 생산물량 가운데 2.8%의 비중을 차지할 것으로 추정됐다. 하지만 고객사를 확보하기 어려울 공산이 커 실질적 경쟁자로 등장할 가능성은 낮다.

삼성전자가 예상대로 시설투자를 늘리며 반도체시장에서 공급과잉을 이끌 경우 중국기업들이 고객사를 확보하며 시장에 본격적으로 진입하기는 더 어려워진다.

SK하이닉스 등 다른 반도체기업에도 장기적으로 삼성전자의 투자확대가 긍정적 영향을 줄 수 있는 셈이다.

IC인사이츠는 “중국 반도체기업들이 다른 기업과 합작법인 설립 등 대안을 마련하지 못하면 삼성전자의 대규모 시설투자를 뚫고 시장에 진입하기는 어려울 것”이라고 내다봤다. [비즈니스포스트 김용원 기자]