삼성전자가 D램과 낸드플래시의 장점을 결합한 차세대 메모리반도체 'M램'을 출시했다.

삼성전자는 M램이 시스템반도체와 통합칩 형태로 적용될 수 있어 반도체 위탁생산사업의 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대하고 있다.
 

삼성전자는 28나노 FD-SOI공정 기반의 내장형 M램을 출시한다고 6일 밝혔다.

M램은 비휘발성 메모리인 낸드플래시와 같이 데이터를 저장할 수 있으면서도 휘발성 메모리인 D램의 빠른 데이터 전송속도를 구현할 수 있는 차세대 메모리반도체로 꼽힌다.

M램에 적용된 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼(반도체 원판) 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄이며 효율을 높일 수 있는 기술이다.

삼성전자의 M램을 활용하면 반도체 크기를 줄이면서 전력효율을 높일 수 있고 반도체 원가도 절감할 수 있다.

삼성전자는 반도체 위탁생산을 담당하는 파운드리사업부에서 M램을 시스템반도체와 결합된 통합칩 형태로 구성해 위탁생산 경쟁력을 높이겠다는 계획을 내놓았다.

삼성전자의 M램 솔루션은 단순한 구조를 갖춰 최소한의 변화만 주면 기존 시스템반도체 설계에 적용할 수 있기 때문에 고객사의 설계 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다는 장점이 있다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용의 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다"며 "삼성전자 반도체 위탁생산 공정에 M램을 확대적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 보이며 고객사의 요구에 대응하겠다"고 말했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]