삼성전자가 올해 낸드플래시에 시설투자를 집중하려던 계획에서 D램 출하량을 크게 늘리는 쪽으로 메모리반도체 사업전략을 바꿀 것으로 예상됐다.

SK하이닉스는 D램에 대부분의 영업이익을 의존하는 사업구조에서 벗어나는 데 고전하고 있는 만큼 삼성전자의 이런 전략 변화에 따라 대응책을 마련해야 한다는 지적이 나온다. 
 

남대종 KB증권 연구원은 2일 “올해 메모리반도체시장 전망이 그리 밝지 않은 상황”이라며 “삼성전자와 SK하이닉스의 전략적 변화가 이전보다 활발해질 것”이라고 분석했다.

남 연구원은 글로벌 D램 평균가격이 1분기 이후부터 약세를 보이고 낸드플래시도 공급과잉의 영향을 받아 연초부터 눈에 띄는 가격 하락세를 보일 수 있다고 내다봤다.

삼성전자와 SK하이닉스는 모두 지난해 메모리반도체 호황에 수혜를 입어 역대 최대 실적을 냈지만 올해는 성장을 낙관하기 어려운 상황을 맞고 있다.

삼성전자는 이런 시장 상황에 선제적으로 대응해 기존 시설투자 계획을 사실상 백지화한 뒤 새롭게 짜고 있는 것으로 나타났다.

남 연구원은 삼성전자가 올해 평택 반도체공장에서 D램에 웨이퍼(반도체 원판) 기준 월 3만 장, 낸드플래시에 7만 장 규모의 증설투자를 벌이기로 했지만 최근 방향을 돌린 것으로 파악했다.

KB증권에 따르면 삼성전자는 D램에 월 12만 장, 낸드플래시에 월 3만 장 규모의 시설투자를 벌일 것으로 추정된다. 

삼성전자가 낸드플래시 가격이 크게 떨어질 가능성에 대비해 D램 출하량을 대폭 늘려 실적을 만회하기 위한 전략을 펴고 있는 셈이다. 

남 연구원은 “삼성전자는 낸드플래시 대신 D램 중심의 투자로 반도체 업황 전망에 대응할 것”이라며 “D램 신규공장의 양산시기도 올해 3분기 이전으로 앞당겨질 가능성이 높다”고 내다봤다.

삼성전자는 D램과 낸드플래시에서 모두 높은 영업이익률을 보이고 있는 만큼 메모리반도체사업에서 이처럼 출하량 비중을 바꾸는 것이 비교적 자유롭다.

이순학 한화투자증권 연구원은 삼성전자가 지난해 메모리반도체에서 약 33조 원의 영업이익을 올리며 D램 영업이익률은 60.3%, 낸드플래시 영업이익률은 47.7%를 각각 보인 것으로 추정했다.

하지만 메모리반도체시장에서 삼성전자를 추격하고 있는 SK하이닉스는 아직 낸드플래시 경쟁력 부족으로 D램에 대부분의 영업이익을 의존하고 있어 올해 실적이 불안해질 수 있다.

이 연구원에 따르면 SK하이닉스의 지난해 D램 영업이익률은 54.6%, 낸드플래시는 21%에 머문 것으로 추산됐다. D램의 비중이 매우 높다.

삼성전자는 D램과 낸드플래시에서 모두 시장점유율 1위 업체로 시설투자 규모도 경쟁업체보다 훨씬 크다. 따라서 삼성전자의 투자계획 변화는 반도체업계 전체에 영향을 미친다.

삼성전자가 D램에 대규모 증설투자를 벌이면 글로벌시장에 공급량이 늘어나며 가격 하락세가 나타날 가능성이 높다. 반대로 낸드플래시에서 공급과잉이 벌어질 가능성은 다소 낮아질 것으로 보인다.

SK하이닉스가 D램 대신 낸드플래시에 역량을 집중하는 것이 유리한 상황이지만 낸드플래시 영업이익률이 아직 낮은 수준이라 D램의 실적 감소를 만회하기 충분하지 않을 수 있다.
 

SK하이닉스가 낸드플래시 영업이익을 끌어올리는 데 더 적극적으로 힘을 실어야 하는 시점이다.

SK하이닉스는 낸드플래시 원가절감에 효과가 큰 72단 3D낸드 공정으로 전환해 수익성을 개선할 계획을 세우고 있다. 하지만 본격적 효과가 나타나려면 내년 초 정도가 돼야 할 것으로 예상된다.

삼성전자가 이르면 올해 상반기부터 D램 공급과잉을 이끌 가능성이 높아진 만큼 SK하이닉스가 실적 타격을 방어하기 위해 최대한 공정 전환에 속도를 내야 한다는 지적도 낭노다.

SK하이닉스가 최근 실적발표회에서 올해 시설투자금액을 10조 원 이상으로 늘리고 내년으로 예정됐던 신규공장 가동을 올해부터로 앞당기겠다고 밝힌 점도 이런 배경에서 나온 것으로 풀이된다. 

SK하이닉스 관계자는 “3D낸드 신공정 수율이 안정화되고 있어 올해 하반기부터 유의미한 성과를 보일 수 있을 것”이라며 “시설투자 효과도 확인할 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]