[비즈니스포스트] 삼성전자 반도체 기술을 중국으로 빼돌렸다는 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속된 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 27일 삼성전자 전직 임원 최씨와 전 수석연구원 오씨를 산업기술보호법위반·부정경쟁방지법위반 등의 혐의로 구속기소했다고 밝혔다.
 

이들은 삼성전자의 핵심 반도체 기술인 20나노급 D램 공정 기술 자료를 중국 청두가오전 하이테크놀로지(CHJS)에 유출했다는 의혹을 받고 있다.

두 사람은 삼성전자가 2014년 독자적으로 개발한 20나노급 반도체 생산에 필요한 온도와 압력 등 단계 공정에 관한 정보가 담긴 자료 700여 개를 청두가오전에 넘긴 혐의를 받는다.

최씨는 2021년 중국 청두시의 투자를 받아 청두가오전을 설립했고, 오씨는 청두가오전의 임원을 지낸 것으로 알려졌다.

검찰은 조사를 통해 최씨가 860억 원 상당의 청두가오전 지분을 취득하고, 보수 명목으로 18억 원을 받은 것도 확인했다.

앞서 서울중앙지방법원은 9월5일 최씨와 오씨를 두고 “도망할 염려가 있다”며 구속영장을 발부했다.

검찰 측은 “이들은 삼성전자가 개발비 4조 원을 투입한 국가핵심기술을 부정적으로 사용했다”며 “중국에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공했고, 최종 양산에 성공하면 그 피해가 최소 수십조 원에 달할 것으로 예상된다”고 밝혔다.  나병현 기자