<div style="text-align:center; margin-top:20px;" > <img alt="중국 &#39;반도체 노광장비 자립&#39; 속도 내지만, 삼성전자·SK하이닉스 &#39;하이 NA EUV&#39;로 추격 따돌린다" height="300" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202609/20260909145904_215205.jpg" width="600" /> <figcaption><table width=600 style='margin-bottom:20px;'><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ 삼성전자와 SK하이닉스가&nbsp;ASML의 첨단 노광장비 &#39;하이 NA EUV&#39;를 도입해, 노광장비 자립으로 추격해오는 중국 반도체 기업과 기술 격차를 벌릴 것으로 예상된다.&nbsp;&lt;제미나이로 생성한 AI 이미지&gt;</td></tr></table></figcaption> </figure> </div> [비즈니스포스트] 중국이 화웨이를 중심으로 반도체 노광 장비 자립에 속도를 내면서, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업을 위협할 것으로 전망된다.<br /> <br /> 창신메모리테크놀러지(CXMT), 양쯔메모리테크놀러지(YMTC)와 같은 중국 메모리 반도체 기업들이 자국 내에서 안정적으로 노광장비를 확보함으로써, 메모리 생산량을 대폭 확대할 수 있기 때문이다.<br /> <br /> 이에 삼성전자와 SK하이닉스는 네덜란드 ASML의 차세대 극자외선(EUV) 노광장비인 &#39;하이NA EUV&#39;를 도입함으로써, 중국과 기술 격차를 더 벌리는 방안을 추진하고 있다.<br /> <br /> 9일 반도체 업계 취재를 종합하면 화웨이가 중국 내 반도체 장비 자체 공급망을 구축하기 위해 노광장비 산업 전반에 투자를 진행해온 성과가 최근 가시화하고 있는 것으로 파악된다.<br /> <br /> 영국 매체 파이낸셜타임스(FT)에 따르면 화웨이의 장비 개발팀 팀원을 주축으로 이뤄진 &#39;위량성&#39;이란 반도체 장비 스타트업이 중국 최초의 첨단 심자외선(DUV) 노광장비를 개발했고, 현재 화웨이와 반도체 파운드리(위탁생산) 기업 SMIC 생산라인에서 시험 가동을 진행하고 있다. 위량성은 올해 말까지 첨단 DUV 장비 12대를 생산한다는 계획을 세워두고 있다.<br /> <br /> 현재 중국이 개발하고 있는 것은 &#39;193나노 불화아르곤(ArF) 이머전&#39; DUV로 알려졌다. 노광 렌즈와 웨이퍼 사이에 공기가 들어가는 구형의 &#39;건식&#39; DUV 노광장비와 달리 액체를 넣는 방식의 장비로, 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있다.<br /> <br /> 현재 중국 반도체 기업은 미국의 제재로 해외에서 EUV 장비뿐 아니라 첨단 DUV 장비 수입도 쉽지 않은 상황이다.<br /> <br /> 하지만 중국이 자체적으로 첨단 반도체 노광장비 개발에 성공한다면, 삼성전자와 SK하이닉스를 위협할 수 있을 수준의 메모리 물량을 안정적으로 생산할 가능성이 높아진다.<br /> <br /> 시장조사업체 카운트포인트리서치에 따르면 CXMT는 2026년 2분기 D램 시장 점유율 10%를 달성하며, 처음으로 두 자릿수 점유율을 기록했다.<br /> <br /> 일본 노무라증권은 CXMT가 2028년에는 세계 D램 점유율이 최대 18% 수준까지 확대될 것이란 전망을 내놓기도 했다.<br /> <br /> 강민희 미래에셋증권 연구원은 &quot;CXMT는 상하이 공장(팹)의 설비 반입 및 &#39;EUV 없는&#39; 공정 전환 과정에서 미국 수출 규제가 병목으로 작용하고 있다&quot;며 &quot;향후 중국 반도체 장비 기술 자립화로 이 격차를 얼마나 좁히는지가 향후 CXMT 실적의 관건이 될 것&quot;이라고 분석했다.<br /> &nbsp; <div style="text-align:center; margin-top:20px;" > <img alt="중국 &#39;반도체 노광장비 자립&#39; 속도 내지만, 삼성전자·SK하이닉스 &#39;하이 NA EUV&#39;로 추격 따돌린다" height="300" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202609/20260902102048_102543.jpg" width="600" /> <figcaption><table width=600 style='margin-bottom:20px;'><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ &nbsp;ASML의 &#39;하이 NA EUV&#39; 노광장비 전시용 제품. &lt;연합뉴스&gt;</td></tr></table></figcaption> </figure> </div> 삼성전자와 SK하이닉스는 ASML의 &#39;하이 NA EUV&#39; 노광장비를 빠르게 도입해 중국과 기술 격차를 더 벌리려 하고 있다.<br /> <br /> 하이 NA EUV는 기존 EUV보다 광학 해상도가 높아, EUV 대비 최대 1.7배 미세한 회로와 최대 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있는 최첨단 노광 장비다. 가격은 대당 약 4억 달러(약 5300억 원)에 이르는 것으로 알려졌다.<br /> <br /> ASML이 세계에서 유일하게 &#39;하이 NA EUV&#39;를 제조할 수 있는 기업이다. ASML의 2027~2028년 연간 하이 NA EUV 생산량은 최대 20대 수준에 그칠 것으로 예상된다.<br /> <br /> 삼성전자는 지난 8일 &#39;하이 NA EUV&#39;를 2028년부터 차세대 D램 제조에 도입하겠다고 밝혔다. SK하이닉스도 2028년부터 하이 NA EUV를 D램 공정에 도입하기 위해 ASML이 주도하는 &#39;대형 마스크 컨소시엄&#39;에 참여하는 방안을 검토하고 있다.<br /> <br /> 삼성전자와 SK하이닉스는 차기 7세대 10나노급 D램 공정인 &#39;1d&#39; 공정부터 하이 NA EUV 장비를 점차적으로 활용할 것으로 예상된다.<br /> <br /> 삼성전자는 9세대 고대역폭메모리(HBM5E)에 1d 공정을 적용하겠다는 계획을 공개했으며, 이르면 2027년부터 1d D램 양산을 위한 장비를 도입할 것으로 전망되고 있다.<br /> <br /> 하이 NA EUV를 메모리 공정에 도입하면 D램의 집적도와 전력효율을 높임으로써 HBM 시장에서 중국과 기술 격차를 더 벌리는 데 중요한 요인으로 작용할 것으로 분석된다.<br /> <br /> 류형근 대신증권 연구원은 보고서에서 &quot;D램은 그동안 EUV를 통한 미세화로 생산성 혁신 기회를 확보해왔다&quot;며 &quot;1d D램 공정부터는 하이 NA EUV가 침투를 시작해 미세화가 지속될 것으로 예상된다&quot;고 말했다.<br /> <br /> 다만 하이 NA EUV는 기존 EUV 대비 노광기에서 빛(자외선)을 발생시키는 광원의 출력이 높아지기 때문에, 소재와 부품의 내구성도 추가적으로 개선될 필요가 있다. 이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스는 협력사와 손잡고 부품, 소재 기술력을 끌어올리는 데 속도를 낼 것으로 보인다.<br /> <br /> 글로벌 반도체 연구기관 아이맥(imec)의 게르트 반덴베르헤 부사장은 지난 2월 &#39;하이 NA EUV의 필요성&#39;이란 글에서 &quot;하이 NA EUV 장비의 실제 공정 수준을 이론적 한계까지 끌어올리기 위해서는 새로운 소재 개발이 매우 중요하다&quot;며 &quot;회로를 그리는 소재와 보호막, 회로를 깎아내는 공정 등을 동시에 최적화할 필요가 있다&quot;고 밝혔다.&nbsp;나병현 기자