[비즈니스포스트] 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리인 'HBM5'의 실물모형과 핵심 열관리 기술을 공개하며 차세대 인공지능(AI) 메모리 시장을 선점하겠다는 의지를 드러냈다.

송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 2일 대만 타이베이 난강전시관에서 개막한 아시아 최대 정보기술(IT) 전시회 '컴퓨텍스 타이베이 2026'에서 기자 간담회를 열고 HBM5 실물 모형을 최초로 선보였다.

삼성전자는 차세대 HBM5에 삼성 파운드리 사업부의 2나노 공정으로 제작한 베이스다이를 선제적으로 적용한다.

베이스다이는 HBM 최하단에서 상부의 D램과 두뇌 역할을 하는 그래픽처리장치(GPU) 등 로직다이를 연결하는 핵심 부품이다.

현재 삼성전자의 HBM4와 HBM4E에는 4나노 공정이 적용되고 있으며, 경쟁사인 SK하이닉스는 대만 TSMC의 12나노 공정으로 제조된 베이스다이를 HBM4에 탑재하고 있다.

송 CTO는 "삼성전자는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징까지 모두 아우르는 독보적인 토탈 솔루션 역량을 갖추고 있다"며 “최초로 2나노 베이스다이 공정과 히트패스블록(HPB)을 적용한 HBM5로 차세대 메모리 기술 경쟁력을 지속 강화하겠다”고 말했다.

HPB는 새로운 열관리 설계 기술이다.

HPB는 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 더 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계된다. 일종의 굴뚝과 같은 구조의 별도의 열 전달 경로를 추가해, 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 극대화하는 방식이다.

삼성전자는 최근 세계 최초로 샘플 출하를 시작한 차세대 제품 'HBM4E(7세대)'를 통해 HPB 기술의 구현과 신뢰성 검증을 완료했으며, HBM5부터 이를 본격 적용한다.

삼성전자는 HBM5를 12단, 16단, 20단 제품으로 세분화해 준비하고 있다. 구체적 양산 시점은 밝히지 않았으나, 2027년 HBM4E 양산 이후인 2028년경이 될 것으로 예상된다.

송 CTO는 "D램 미세공정 역시 현재 1c(6세대 10나노급)에 이어 차세대인 1d D램(7세대 10나노급)을 개발 중이며, 'HBM5E(9세대)'부터는 이를 적용할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 나병현 기자