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SK하이닉스 HBM4 놓고 "TSMC와 협업 중요" 평가, 삼성전자와 베이스다이 경쟁 본격화

김용원 기자 one@businesspost.co.kr 2026-03-23 10:47:52
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SK하이닉스 HBM4 놓고 "TSMC와 협업 중요" 평가, 삼성전자와 베이스다이 경쟁 본격화
▲ SK하이닉스가 고대역폭 메모리 시장에서 삼성전자와 더 치열한 경쟁을 앞두고 있다. 베이스다이 기술 경쟁력을 확보하기 위해 TSMC를 비롯한 대만 기업과 협업이 중요해졌다는 분석도 나온다. SK하이닉스의 HBM 메모리 기술 전시용 모형 홍보용 사진.
[비즈니스포스트] SK하이닉스가 HBM4를 비롯한 고대역폭 메모리에서 삼성전자와 경쟁을 위해 대만 TSMC를 비롯한 협력사와 파트너십을 강화해야 한다는 분석이 나왔다.

삼성전자가 HBM4 핵심 부품인 베이스다이에 자체 기술을 활용하는 반면 SK하이닉스는 시스템반도체 분야에서 긴밀한 협업이 필수 요소로 자리잡았기 때문이다.

대만 공상시보는 23일 “인공지능(AI) 시대를 맞아 시작된 고대역폭 메모리(HBM) 경쟁이 새 국면에 접어들었다”며 “시장의 관심은 베이스다이로 이동하고 있다”고 보도했다.

베이스다이는 단순한 지지대가 아니라 메모리 성능과 전원 분배, 전자 신호 보정 등을 담당한다. HBM의 성능 경쟁력을 좌우하는 핵심 시스템반도체 부품이다.

공상시보는 삼성전자가 최근 AMD와 HBM4 공급 협력을 발표하며 기술 경쟁에 포문을 열었다고 분석했다.

이 자리에서 삼성전자가 AMD 차기 인공지능 반도체에 공급하는 HBM4의 4나노 기반 베이스다이 활용을 비롯한 세부 사양이 공개됐기 때문이다.

공상시보는 “삼성전자는 자체 기술을 활용한 베이스다이로 HBM 경쟁력을 차별화하려 하고 있다”며 “이는 HBM 기술 경쟁에 변곡점이 될 수 있다”고 바라봤다.

SK하이닉스는 기존 규격인 HBM3 및 HBM3E 시장에서 모두 삼성전자에 분명한 우위를 보였다는 평가를 받는다.

다만 HBM4는 칩 인터페이스 대역폭이 HBM3E와 비교해 2배 가량 넓은 데다 신호 및 전력 밀도와 회로 사이의 간섭 문제를 새로운 베이스다이 설계를 통해 해결해야 한다.

단순히 D램 패키징이 아니라 파운드리 공정을 통해 더 확장된 인터페이스 구조와 패키징 설계를 개선해야 한다.

다만 공상시보는 SK하이닉스가 HBM4 규격에서 신기술 채용에 다소 소극적 태도를 보이고 있어 협력사들과 파트너십을 강화해야 할 필요성이 커졌다고 진단했다.
 
SK하이닉스 HBM4 놓고 "TSMC와 협업 중요" 평가, 삼성전자와 베이스다이 경쟁 본격화
▲  삼성전자가 현지시각 16일 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026에 전시한 'HBM4E'. <삼성전자>

SK하이닉스가 TSMC를 비롯한 대만 기업들과 HBM 베이스다이 분야에서 협업을 확대해 삼성전자의 장점인 시스템반도체 기술력을 따라잡아야 한다는 것이다.

현재 SK하이닉스는 HBM4 전용 베이스다이를 삼성전자의 4나노 공정보다 뒤처지는 TSMC의 12나노 공정으로 제조하는 것으로 알려졌다.

결국 공상시보는 SK하이닉스가 HBM 시장에서 기술 경쟁력을 유지하기 위해 TSMC의 반도체 제조 및 패키징 기술을 적극 활용해야 할 것이라고 바라봤다.

공상시보는 “SK하이닉스는 TSMC의 반도체 생태계와 긴밀한 관계를 맺으면서 HBM 베이스다이 기술에 장점을 얻고 있었다”며 “이러한 파트너십을 더 강화한다면 시스템반도체 기술 측면에서 약점을 극복할 수 있을 것”이라고 덧붙였다.

HBM4 고대역폭 메모리는 엔비디아가 하반기 출시하는 ‘루빈’ 시리즈 인공지능 반도체에 적용된다. 

루빈 제품 상용화를 계기로 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 메모리반도체 기업들 사이 HBM 기술 및 시장 점유율 경쟁이 본격화될 공산이 크다. 김용원 기자

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