[비즈니스포스트] 미국 정부가 중국이 게이트올어라운드(GAA), 고대역폭메모리(HBM) 등의 기술에 접근하는 것을 막기 위해 추가 규제를 발표할 것으로 보인다.

블룸버그는 11일(현지시각) 복수의 관계자를 인용해 “조 바이든 행정부가 인공지능(AI)에 사용되는 최첨단 반도체에 중국의 접근을 추가 제한하는 방안을 검토하고 있다”고 보도했다.
 

규제가 논의되는 대상은 게이트올어라운드(GAA)와 고대역폭메모리(HBM) 등 최첨단 반도체 기술이다.

HBM은 D램을 여러 층으로 쌓아올린 형태로 구현돼 AI처럼 수많은 데이터를 빠르게 처리해야 하는 분야에서 활용되는 고성능 메모리반도체로, AI 가속기의 성능을 강화하는 데 필수적으로 활용되고 있다.

현재 SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론이 HBM을 생산하고 있다.

GAA는 반도체 기본 구성요소인 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널과 이를 제어하는 게이트가 4면에서 맞닿게 하는 반도체 공정 기술이다.

채널과 게이트 접촉면이 3면에 그치는 기존 ‘핀펫’ 방식보다 게이트의 통제력이 더 강화돼 전력을 적게 소모하고도 성능이 개선될 뿐만 아니라 누설전류 문제도 해결할 수 있는 기술로 부각되고 있다.

삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 반도체를 양산하기 시작했다.

미국 정부는 우선 GAA 기술수출 제한 논의에 들어간 것으로 보인다.

미국 상무부 산업안보국(BIS)은 최근 GAA 규제 초안을 업계 전문가들로 구성된 기술자문 위원회에 보낸 것으로 알려졌다. 업계 관계자들은 BIS의 GAA 초안이 지나치게 광범위하다고 비판한 것으로 전해진다.

최종적인 규제안이 언제 발표될지는 아직 정해지지 않았다.

블룸버그는 “GAA 규제가 중국의 자체 GAA 칩 개발 능력을 제한하는 데 그칠지, 중국에 GAA가 적용된 제품을 파는 것까지 포함될지는 불분명하다”며 “미국 목표는 초기 단계의 기술이 상용화되기 전에 이를 차단하는 것”이라고 보도했다.

미국은 현재 중국이 첨단 반도체를 활용하는 것을 막기 위해 반도체 장비 등의 수출 제재 조치를 실시하고 있다. 나병현 기자