SK하이닉스가 현존 최고사양의 D램을 메모리업계 최초로 개발했다.

SK하이닉스는 최근 ‘HBM3(High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)’ D램을 개발했다고 20일 밝혔다.
 

HBM D램은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리속도를 끌어올린 고성능 제품이다.

1세대(HBM)–2세대(HBM2)-3세대(HBM2E) 순으로 개발되어 왔으며 이번에 SK하이닉스가 개발한 HBM3 D램은 4세대 제품이다.

SK하이닉스는 지난해 7월 메모리업계 최초로 HBM2E D램 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3 D램도 최초로 개발했다.

속도 측면에서 HBM3 D램은 1초당 819GB 규모의 데이터를 처리할 수 있다. 3세대 제품인 HBM2E D램과 비교하면 속도가 78%가량 빨라졌다.

일반적으로 FHD 화질의 영화 1편이 5GB 크기인데 HBM3 D램은 영화 163편 분량의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다.

SK하이닉스가 개발한 HBM3 D램은 오류정정코드(On Die-Error Correction Code)를 내장했다. 이 코드를 통해 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있다.

SK하이닉스는 HBM3 D램을 16GB와 24GB 2가지 용량으로 출시하기로 했다. 24GB D램은 업계 최대 용량의 제품이다.

SK하이닉스는 24GB D램을 구현하기 위해 단품 D램 칩을 A4용지 1장 두께의 3분의 1에 해당하는 30마이크로미터 높이로 갈아낸 뒤 이 칩 12개를 수직으로 연결했다.

HBM3 D램은 고성능 데이터센터에 주로 탑재될 것으로 전망된다. 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석, 신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 쓰일 것으로도 예상된다.

차선용 SK하이닉스 D램개발담당 부사장은 “SK하이닉스는 HBM2E D램시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 D램까지 개발하는 데 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리시장의 리더십을 공고히 해 고객가치를 높이는 데 최선을 다하겠다”고 말했다. [비즈니스포스트 강용규 기자]