[비즈니스포스트] SK하이닉스가 업계 최초로 양산용 ‘하이(High) NA 극자외선노광장비(EUV)’를 경기도 이천 M16 팹(생산시설)에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

하이 NA EUV 장비는 기존 EUV보다 더 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다. NA는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지를 나타내는 수치다. 값이 클수록 더 정밀한 반도체 설계 회로 패턴 구현이 가능하다.
 

반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이려면 미세 공정 기술 고도화가 필수다. 회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.

회사는 2021년 10나노급 4세대 1a 나노 D램 공정에 EUV를 첫 도입한 이후, 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해왔다. 
 
이번 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, 하아 NA EUV 최초의 양산형 모델이다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로를 그릴 수 있고, 2.9배 높은 회로 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스 측은 “현존 가장 미세한 회로패턴 구현이 가능해, 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 것으로 기대된다”고 설명했다.

이날 이천캠퍼스에서 열린 행사에서는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 부사장, 이병기 제조기술담당 부사장 등이 참석했다.

김병찬 ASML코리아 사장은 “하이 NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다.
 
차선용 SK하이닉스 부사장은 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다. 김호현 기자