△2024년 삼성전자 파운드리·시스템LSI 5조 적자 추정
삼성전자 반도체 가운데 비메모리 부문인 파운드리 사업부와 시스템LSI 사업부가 2024년 5조 원가량의 적자를 낸 것으로 추정된다.

실적이 악화하면서 파운드리 부문의 2024년 시설투자 규모도 전년과 비교해 크게 감소했던 것으로 파악된다.

삼성전자는 2025년 1월31일 반도체를 담당하는 DS부문이 2024년 4분기 매출 30조1천억 원, 영업이익 2조9천억 원을 기록했다고 밝혔다. 영업이익은 낮아진 시장 기대치 3조 원마저 밑돌았다.

2024년 연간 DS부문 영업이익은 15조1천억 원으로 집계됐다. 이에 삼성전자는 처음으로 23조4600억 원을 기록한 SK하이닉스에 반도체 영업이익 1위 자리를 내줬다.

여기에는 비메모리 부문인 파운드리 사업부와 시스템LSI 사업부의 부진이 영향을 미친 것으로 분석된다.

증권가는 파운드리 사업부와 시스템LSI 사업부가 2024년 5조 원가량의 적자를 기록한 것으로 추정하고 있다.

이는 비메모리 부문 시장 기대치였던 3조8천억 원 적자를 크게 하회한 것으로 특히 파운드리 사업부는 2024년 4분기에만 2조 원대의 적자를 낸 것으로 파악된다.

삼성전자는 첨단 3나노 공정에서 수율(완성품 비율) 문제를 해결하지 못하며 구글, 엔비디아, 퀄컴 등 대형 고객사를 경쟁사인 TSMC에 빼앗겼다.

양사의 매출 점유율 격차는 2024년 3분기 삼성전자 9.3%, TSMC 64.9%로 55.6%포인트까지 벌어졌다. 2024년 2분기 점유율 격차는 50.8%포인트였다.

삼성전자 관계자는 2024년 4분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “파운드리는 모바일 수요 약세 지속과 가동률 하락, 첨단 공정 연구개발비 증가 등으로 영업이익이 감소했다”고 설명했다.

삼성전자는 2024년 53조6천억 원의 역대 최대 규모 시설투자를 진행했다. 사업부별로 DS에 46조3천억 원, 디스플레이에 4조8천억 원이 투입됐다.

다만 기술력 문제로 고객사 확보에 실패하며 부진한 파운드리 부문의 시설 투자와 연구개발(R&D) 비용은 줄었다. 일각에서는 회사가 고대역폭메모리(HBM) 기술력 추격을 우선 순위에 뒀기 때문으로 분석하고 있다.

삼성전자는 “메모리는 미래 기술 리더십 확보를 위한 지속적인 R&D 투자와 HBM 등 선단 공정 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하면서 분기와 연간 투자 모두 증가했다”며 “다만 파운드리는 시황 악화로 전년비 연간 투자 규모가 감소했다”고 설명했다.

△미국 텍사스 파운드리 공장 반도체 보조금 확정, 트럼프 변수는 여전
미국 바이든 행정부가 삼성전자의 미국 텍사스 오스틴 파운드리 공장의 약 6조9천억 원 규모의 직접 보조금을 확정했다.

삼성전자의 공장 투자 규모가 줄어들면서 기존 발표됐던 보조금보다 2조4천억 원가량이 줄었다. 해당 공장은 2026년 첫 가동될 예정이다.

미국 상무부는 2024년 12월20일(현지시각) 반도체 지원법인 ‘칩스법’에 따라 삼성전자에게 47억4500만 달러(약 6조8778억 원)의 보조금 지급을 확정했다고 밝혔다.

앞서 같은해 4월 예비거래각서(PMT)에 따라 발표된 64억 달러(약 9조2700억 원)와 비교해 26%가량 줄어든 금액이다.

이는 삼성전자 투자 규모가 당초와 비교해 줄어들었기 때문이다.

로이터는 상무부 대변인 발로 “시장 환경과 기업의 투자 범위에 맞춰 보조금 규모가 변경됐다”고 보도했다.

미 상무부에 따르면 삼성전자는 텍사스 공장에 370억 달러를 투자해 두 개의 반도체 파운드리 생산시설(팹)과 하나의 연구개발(R&D) 팹을 건설한다.

PMT 발표 당시 알려진 400억 달러 규모 투자에서 7.5% 줄어든 규모다.

삼성전자는 처음 텍사스 공장 건설을 기획했던 2021년 당시 170억 달러의 투자를 계획했지만, 2024년 4월 2030년까지 400억 달러로 투자 규모를 늘렸다가 다시 370억 달러로 줄였다.

삼성전자의 보조금 크기는 감소했지만, 투자 규모와 비교한 보조금 비율은 13%로 경쟁사인 TSMC(10.3%)보다 높다.

다만 도널드 트럼프 2기 행정부가 보조금 지급을 미룰 가능성이 제기되고 있다. 트럼프 미국 대통령은 후보 시절부터 바이든 정부의 칩스법을 비판했다.

트럼프 대통령은 후보 시절 조 로건이 진행하는 팟캐스트에 출연해 “반도체 거래는 아주 나쁘다”며 “단 10센트도 주지 않아도 되며 높은 관세를 부과하면 그들이 알아서 와서 공짜로 반도체 공장을 설립할 것”이라고 말했다.

△TSMC보다 기술 부족 인정, 2나노서 극복 의지 나타내
한진만이 2025년 양산을 앞둔 2나노 첨단 공정에서 오랜 시간 삼성전자 파운드리의 문제로 꼽혀온 수율(완성품 비율) 문제를 극복하고 고객사 확보에 힘쓰겠다는 의지를 나타냈다.

현재 TSMC보다 기술력은 부족하지만 이를 극복할 수 있다는 자신감을 드러냈다.

한진만은 2024년 12월9일 취임 후 처음으로 임직원에게 보내는 사내 메시지를 통해 “삼성 파운드리가 타 대형업체(TSMC)보다 기술력이 뒤쳐진다는 점을 인정해야 한다”며 “언젠가는 이것을 극복할 수 있을 것”이라고 말했다.

한진만은 파운드리 사업부의 핵심 과제로 2나노 공정의 빠른 생산 능력 증가를 꼽았다. 특히 수율 문제 해결을 강조했다.

한진만은 “(2나노) 공정 수율을 획기적으로 개선해야 할 뿐만 아니라 소비전력·성능·면적(PPA) 향상을 위해 모든 노브(knob)를 샅샅이 찾아내야 한다”며 “우리 사업부가 개발한 성숙 노드들의 사업화 확대를 위해 엔지니어링 활동에 힘써 달라”고 당부했다.

삼성전자 파운드리는 3나노 공정에서 수율 문제로 구글, 마이크로소프트, 엔비디아, 퀄컴 등 대형 빅테크 고객사를 TSMC에게 빼앗겼다.

특히 TSMC보다 먼저 한 단계 앞선 기술인 게이트올어라운드(GAA) 공정을 먼저 개발했지만 수율 등 문제로 사업화에 어려움을 겪었다.

한진만은 “GAA 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤘지만 사업화에서 아직 부족함이 많다”며 “기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다”고 강조했다.

다만 한진만은 2025년 성과를 보여줄 수 있다는 자신감을 나타냈다.

한진만은 “우리가 내년(2025년)엔 가시적인 턴어라운드를 보여줄 수 있을 것으로 믿는다”면서 “가까운 미래에는 우리 사업부가 삼성전자의 가장 중요한 사업부로 성장하리라고 확신한다”고 했다.

△피운드리 새 사령탑으로 선임
삼성전자가 파운드리 사업부를 이끌 새로운 사령탑으로 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장을 선임했다.

한진만은 2024년 12월27일 공개된 삼성전자 연말 정기 사장단 인사에서 파운드리 사업부 사장으로 명단에 이름을 올렸다.

한진만은 삼성전자 파운드리의 위기 극복을 위한 적임자로 평가된다. 삼성전자 파운드리에 부족한 ‘고객 중심’과 ‘기술력’ 두 가지를 모두 해결할 역량을 갖춘 것으로 기대된다.

삼성전자는 “글로벌 고객대응 경험이 풍부해 공정기술 혁신과 더불어 고객사들과 네트워크 강화를 기대한다”고 설명했다.

미국 반도체 사업을 총괄하는 DSA총괄 부사장으로 일하며 북미 고객사 대응 경험이 풍부하다.

D램과 플래시 메모리 설계팀을 거쳐 솔리드스테이트드라이브(SSD) 개발팀장, 전략마케팅실장 등을 역임해 반도체 기술에 전문성도 갖췄다.

앞서 한진만은 2020년 메모리사업부 전략마케팅실장 부사장으로 임명됐으며 2년만인 2022년 12월 DS부문 미주총괄 부사장으로 자리를 옮긴 바 있다.

서울대학교 전기공학과를 졸업한 후 1989년 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 설계팀에서 사회생활을 시작했으며 2002년부터 6년간 미국 마이크론사에서 근무했다. 2008년 11월 삼성전자로 복귀해 돌아온지 16년 만에 사장단 명단에 올랐다.

△파운드리 사업부 현상 유지
이재용 삼성전자 회장이 위기가 드리운 업황에도 불구하고 파운드리 사업부를 유지하기로 했다.

로이터는 이재용 회장이 2024년 10월7일 파운드리나 시스템 반도체 사업의 분사를 생각하는지 묻는 기자 질문에 “사업을 키우려는 열망이 크다. 분사에 관심이 없다”는 답변을 기사로 실었다.

삼성전자가 위기 극복을 위해 부진한 파운드리, 시스템 반도체 부문을 매각하고 메모리 반도체 분야에 집중할 것이라는 증권가 등 일각의 주장을 일축했다.

삼성전자는 반도체 위탁생산 사업의 가능성을 보고 2017년 파운드리 사업부를 독자 사업부로 독립하며 본격적으로 시장에 진출했다.

하지만 글로벌 1위 기업인 TSMC와 벌어진 격차는 좀처럼 좁혀지지 않고 있다. 2024년 3분기 삼성전자와 TSMC의 매출 기준 점유율 격차는 55%포인트를 넘어섰다.

삼성전자는 초미세공정인 3나노 공정에서 수율(완성품 비율) 문제를 겪으며 구글, 애플, 엔비디아 등 대부분 주요 고객사를 모두 TSMC에 빼앗겼다.

미국 텍사스주 오스틴에 170억 달러(약 24조4천억 원)을 투입해 건설하고 있는 파운드리 공장도 반도체 설비 도입이 연기되며 준공이 늦어지고 있다.

조 바이든 미국 행정부가 2024년 12월20일(현지시각) 47억4500만 달러(약 6조8800억 원)의 반도체 지원금을 확정하며 준공에 속도가 붙을 것으로 예상되지만, 지원금 규모는 당초 4월 발표한 64억 달러와 비교해 26% 감소했다.

증권가는 2024년 파운드리 사업부와 시스템LSI 사업부 적자 규모가 5조 원을 넘어설 것으로 추정했다.

이 회장은 이러한 상황에서도 파운드리 사업부를 유지하고 투자를 늘리며 정면 돌파를 선택한 것으로 보인다.

삼성전자는 2024년 11월27일 기술 전문성과 네트워크 역량을 모두 갖춘 한진만 삼성전자 DS부문 DSA총괄 부사장에게 파운드리 사업부의 새 사령탑을 맡겼다.

△'2나노 반도체' 계약 수주 밝혀
삼성전자가 알본 인공지능 반도체 업체와 2나노 반도체 생산 계약을 수주했다고 발표했다.

삼성전자는 2024년 7월9일 서울 강남구 삼성동 코엑스에서 열린 파운드리&세이프 포럼에서 일본 인공지능(AI) 반도체 기업인 프리퍼드네트웍스(PFN)과 AI 가속기 반도체 생산 계약을 체결했다고 밝혔다.

삼성전자는 PFN 반도체를 2나노 공정으로 생산하고, 반도체 후공정인 패키징까지 한 번에 지원하는 ‘턴키 솔루션’을 제공하기로 했다.

이날 행사에서 삼성전자는 턴키 솔루션을 차별화 전략으로 제시했다. 반도체 전 공정을 아우르는 종합 반도체기업이라는 강점을 활용해 파운드리, 메모리, 패키징 등 서비스를 한 번에 제공하겠다는 것이다.

턴키 솔루션을 통해 AI 반도체 납품 기간을 20%가량 단축할 수 있다.

TSMC를 추격하기 위한 기술로 게이트올어라운드(GAA) 공정을 제시했다.

GAA는 반도체의 기본이 되는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 접촉면을 넓히는 기술이다. 이를 통해 누설 전류를 최소화해 초미세 공정에서 확실한 전류제어를 돕는다.

△IBM의 반도체 칩 수주
삼성전자 파운드리가 IBM의 AI 반도체 칩 두 가지를 제작하기로 했다.

IBM은 2024년 8월27일 '텔럼II 프로세서'와 '스파이르 엑셀레이터'라는 두 개의 새로운 칩을 삼성전자 파운드리를 통해 제조한다고 밝혔다.

텔럼II 프로세서는 컴퓨터에 탑재되는 정보처리장치(CPU)로 IBM이 2021년에 출시한 텔럼의 후속 제품이다. 이전 세대와 비교해 주파수, 메모리 용량이 증가하고 AI 코어 속도가 40% 증가했다.

스파이르 엑셀레이터는 텔럼II 프로세서에 추가적 AI 컴퓨팅 기능을 제공하는 반도체 칩이다.

IBM은 “두 개의 칩은 삼성전자의 고성능·고효율 5나노 공정을 기반으로 만들어진다”며 “삼성전자는 IBM의 오랜 제조 파트너”라고 설명했다.

IBM의 두 가지 반도체 칩은 2025년 출시 예정이다.

△'파운드리 고객 4배, 매출 9배' 새로운 목표 제시
삼성전자는 2024년 6월 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2024‘를 개최하고 인공지능(AI) 시대를 주도할 파운드리 전략을 공개했다.

삼성전자는 메모리와 고급 패키징 사업을 모두 보유하고 있어, 고객의 요구에 맞춘 솔루션 제공에 유리하다고 강조했다.

특히 삼성전자 파운드리 사업부는 이번 행사에서 2028년 목표로 '고객 4배, 매출 9배'를 제시했다.

삼성전자 파운드리사업부는 “2028년 AI 칩 관련 매출이 2023년 대비 9배로 증가할 것으로 예상하고 있다”며 “고객 수는 2023년보다 2024년 2배로 늘어나고, 2028년에는 4배로 증가할 것”이라고 전망했다.

한편 삼성전자는 이 행사에서 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가로 공개했다.

SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적(PPA) 개선 효과를 가졌다. 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 '전압강하' 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능 향상이 가능해졌다.

4나노 신규 공정인 SF4U는 ‘광학적 축소’를 통해 기존 4나노 공정 대비 PPA 경쟁력이 보다 향상된다.

◆ 비전과 과제 한진만은 위기에 놓인 삼성전자 파운드리 사업부의 생존을 이끌어내야 하는 중책을 맡았다.

삼성전자 파운드리가 3나노 이하 첨단 공정에서 수율(완성품 비율) 문제를 해결하지 못하며 파운드리 1위 TSMC와 격차가 벌어지는 상황에서 사령탑을 맞게 됐다.

삼성전자는 한진만 사장 선임과 관련해 공정기술 혁신을 언급했다.

파운드리 사업부의 수율(완성품 비율) 문제 해결은 수장직을 주며 내어준 중요한 과제다.

삼성전자의 현재 2나노 첨단 공정 수율은 10%대다. TSMC의 2나노 수율은 60%대를 넘어섰다는 분석이 나온다.

한진만은 사장 선임 뒤 처음으로 임직원에게 보내는 메시지를 통해 “(2나노) 공정 수율을 획기적으로 개선해야 할 뿐만 아니라 소비전력·성능·면적(PPA) 향상을 위해 모든 노브(knob)를 샅샅이 찾아내야 한다”며 “우리 사업부가 개발한 성숙 노드들의 사업화 확대를 위해 엔지니어링 활동에 힘써 달라”고 당부하며 의지를 보이고 있다.

한진만에게는 취약한 기술력 보완과 함께 빅테크 고객사 관리와 확보라는 중차대한 과제도 주어졌다.

삼성전자가 한진만을 사장으로 선임한 데는 고객사와 네트워킹 역량도 큰 이유로 자리했다.

삼성전자 파운드리는 고객사 대응 능력이 부족하다는 평가를 받고 있다.

대만 시장조사업체 트랜드포스의 조안 차오 파운드리 연구원은 삼성전자가 TSMC의 ‘고객 중심’ 정신이 필요하다고 지적한 바 있다.

차오 연구원은 “메모리 산업은 자체 설계하고 생산해 고객에게 판매하지만, 파운드리는 고객에게 위탁 받아 생산하는 사업”이라며 “삼성전자는 경험을 쌓아 고객 요구를 맞춰야 한다는 점을 이해한다면 더 많은 고객을 유치할 수 있을 것”이라고 말했다.

◆ 평가 한진만은 기술 전문성과 더불어 고객사 대응 능력과 네트워킹 역량을 갖췄다는 평가를 받는다.

삼성전자 입사 당시부터 D램 기술직으로 근무해왔고 엔비디아를 포함한 주요 고객사와 소통경험이 풍부해 이를 담당할 적임자로 여겨지고 있다.

한진만은 삼성전자 파운드리 사업부장 사장으로 선임되자 미국에서 고객사와 만나는 ‘삼성전자 파운드리 디자인솔루션파트너 커넥트’ 행사를 진행했다.

반도체 설계와 공정을 돕는 디자인하우스 기업들과 고객사들이 만나는 자리를 만들어 협력사와 고객사의 네트워킹을 주도하며 첫 행보를 시작했다.

한진만은 고객사와 만남에 적극적으로 나서는 것으로 유명하다.

앞서 2024년 3월 ‘GTC’ 행사에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)를 만나 삼성전자의 5세대 고대역폭메모리(HBM3E) 12단 제품을 보여주고 그의 서명을 받아내기도 했다.

2025년 1월6일(현지시각) 미국 라스베이거스 ‘CES 2025’ 행사에서 젠슨 황의 기조연설 자리에도 한진만은 함께 했다.

업계에서는 빠르게 변화하는 국제 정세 속에 삼성전자 파운드리 사업을 맡을 적임자로 한진만의 선임을 긍정적으로 바라보고 있다.

도널드 트럼프 대통령이 돌아와 한층 불확실성이 커진 상황에서 미국에 정통한 인물이 필요한데, 한진만은 삼성전자 미국 총괄 부사장을 역임하며 미국 현지 상황 파악과 대응에 가장 적합하다는 이유에서다.

△2025년 파운드리 투자 축소, TSMC와 격차 좁히기 난관
삼성전자 파운드리 사업부가 2025년 관련 투자를 축소하며 경쟁사인 TSMC와 기술 격차 좁히기에 어려움을 겪을 것이란 우려가 나오고 있다.

삼성전자는 2024년 고객사 확보에 어려움을 겪은 파운드리 시설투자를 전년보다 줄였는데, 2025년에는 그보다 더 축소될 것으로예상되고 있다.

메모리 반도체의 경우 2024년 역대 최대 규모 투자가 이뤄진 점을 고려하면, 삼성전자의 파운드리 투자 축소는 사실상 우선순위에서 밀린 것이 아니냐는 평가가 나온다.

삼성전자는 2025년 1월31일 전년 4분기 실적발표 콘퍼런스콜을 진행하면서 “메모리는 미래 기술 리더십 확보를 위한 지속적인 연구개발(R&D) 투자와 고대역폭메모리(HBM) 등 선단 공정 생산능력 확대를 위한 투자를 지속하면서 분기와 연간 투자 모두 증가했다”며 “다만 파운드리는 시황 악화로 전년비 연간 투자 규모가 감소했다”고 설명했다.

업계에 따르면 2025년 삼성전자 파운드리 사업부의 설비투자 규모는 5조 원가량으로 추정된다. 2024년 10조 원대 투자와 비교해 절반 이상 줄어든 수치다.

파운드리 사업부가 고객사 확보에 어려움을 겪으며 생산력 확대의 필요성이 감소한 데 따른 것이란 분석이다.

반면 세계 1위 파운드리 기업인 TSMC는 2024년 설비투자에만 약 42조 원을 쓰고 있다. 2025년 투자 규모는 더 늘어날 것으로 전망된다.

TSMC의 3나노 공정 고객사가 늘어나고 있고, 첨단 2나노 공정 빅테크 고객사 확보에도 성공하며 생산능력 증대가 필요한 때문이다.

빅테크 고객사 확보에 실패한 삼성전자는 생산 능력을 축소하고 있다. 2025년 1월 현재 평택에 위치한 4나노에서 7나노 파운드리 설비 가동률은 30%가량 낮아진 것으로 파악된다.

다만 이재용 삼성전자 회장은 2024년 10월 파운드리 사업부와 시스템LSI 사업부를 매각할 생각은 없으며 더 키우길 원한다고 밝힌 바 있다.

◆ 경력 1989년 1월부터 1997년 6월까지 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 설계팀에서 일했다.

2002년 10월부터 2008년 9월까지 미국 마이크론사에서 근무했다.

2008년 11월부터 2010년 11월까지 삼성전자로 복귀한 뒤 DS부문 메모리사업부 플래시개발실 수석을 지냈다.

2010년 12월부터 2013년 11월까지 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 연구위원 상무로 일했다.

2013년 12월부터 2014년 11월까지 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 PE팀장을 맡았다.

2014년 12월부터 2017년 4월까지 삼성전자 메모리사업부 솔루션개발실 SSD개발팀장으로 근무했다.

2017년 5월 삼성전자 전략마케팅팀 상품기획팀장 전무로 승진했다.

2020년 1월부터 11월까지 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 마케팅팀장을 맡았다.

2020년 12월 삼성전자 전략마케팅실장 부사장으로 승진했다.

2022년 12월 삼성전자 DS부문 미주총괄 부사장으로 임명됐다.

2024년 11월 삼성전자 DS부문 파운드리 사업부장 사장으로 선임됐다.

◆ 학력

강원도 동춘천초등학교를 나왔다.

강원중학교를 졸업했다.

강원고등학교를 나왔다.

서울대학교 전기공학과를 졸업했다.

◆ 가족관계

◆ 상훈

2013년 미래창조과학부(과학기술정보통신부) IR52 장영실상을 수상했다.

2021년 산업통상자원부 산업포장을 수훈했다.

◆ 기타

2025년 2월2일 현재 삼성전자 주식은 보유하지 않고 있다.

“HBM과 같은 AI 가속기용 메모리 수요가 늘면서 이런 쪽에서 파운드리와 결합되는 새로운 비즈니스가 나오고 있다. 메모리와 파운드리를 동시에 갖고 있는 회사가 세계에 유일하게 삼성전자 밖에 없다. 파운더리와 메모리의 융합을 통해서 2~3년 뒤 삼성전자가 AI시대에 강자가 되지 않을까 생각한다.” (2024/01/10, 미국 라스베이거스에서 열린 ‘CES 2024’ 행사에서 기자들과 만나)

“게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만 사업화에 있어서는 아직 부족함이 너무나 많다. 기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또 다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊어야 한다. 타 대형 업체에 비해 뒤처지는 기술력을 갖고 있다는 것을 인정해야 한다. 단기간에 메이저 파운드리 업체를 따라잡을 수 없겠지만 현장에서 영업과 기술을 지원하는 분들이 자신있게 우리 파운드리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 찾아 나가자.” (2024/11/27, 파운드리 사업부장 사장 취임 뒤 처음으로 임직원에게 보내는 사내 메시지를 통해)

“네이버와 협력을 통해 초대규모 AI 시스템에서 메모리 병목현상을 해결할 수 있는 최적의 반도체 솔루션을 개발할 것이다. AI 서비스 기업과 사용자의 니즈를 반영한 반도체 솔루션을 통해 PIM, 컴퓨테이셔널 스토리지 등 시장을 선도하는 차세대 메모리 라인업을 확대해 나가겠다.” (2022/12/06, 네이버와 인공지능(AI) 반도체 솔루션 개발 협력을 위한 MOU를 체결하고)