삼성전자가 기존 제품보다 7배 빠른 속도를 내는 차세대 D램 제품을 공개했다.

삼성전자는 세계 최초로 차세대 메모리반도체인 4기가 'HBM D램' 양산에 성공했다고 19일 밝혔다.

전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM D램 양산으로 초고성능 반도체 시대를 여는 데 기여하게 됐다"며 "3차원 메모리 기술을 기반으로 시장변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 확보해 나갈 것"이라고 강조했다.

삼성전자의 HBM D램은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 20나노 D램 공정으로 생산된다. 삼성전자는 이 제품에 3차원 적층 기술도 적용해 집적도와 성능을 높였다고 설명했다.

삼성전자는 이 신제품이 현재 상용화된 제품 가운데 가장 빠른 그래픽 D램보다 7배 정도의 속도를 내며 전력소모도 절반 수준으로 줄었다고 밝혔다.

차세대 D램은 적층 방식으로 생산돼 면적도 기존보다 크게 줄일 수 있어 여러 휴대용 기기에 다양하게 적용될 수 있을 것으로 전망된다.

삼성전자는 "혁신적인 성능과 공간 효율성을 통해 고성능 D램의 적용범위를 넓혔다"며 "서버와 그래픽카드에 이어 게임기와 가상현실(VR)기기 등에도 탑재될 수 있다"고 강조했다.

삼성전자 관계자는 "반도체 기술의 한계를 삼성전자가 돌파했다"며 "차세대 메모리 제품으로 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도하며 초고속 D램 시대를 열게 될 것"이라고 강조했다.  [비즈니스포스트 김용원 기자]