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삼성전자 SK하이닉스, 새 공정기술로 D램 ‘2강체제’로 간다

김용원 기자 one@businesspost.co.kr 2019-04-08 13:45:11
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삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 반도체 공정기술을 적용하는 D램 생산공장을 건설하며 대규모 투자 확대를 준비하고 있다.

세계 D램시장에서 해외 경쟁사와 기술 격차를 확대하면서 삼성전자와 SK하이닉스의 양강체제를 더욱 굳히겠다는 강한 의지를 보이는 것으로 풀이된다.
 
삼성전자 SK하이닉스, 새 공정기술로 D램 ‘2강체제’로 간다
▲ 김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장(왼쪽)과 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장.

8일 로이터 등 외국언론에 따르면 삼성전자는 새 EUV(극자외선) 반도체공정 도입을 계획한 화성 반도체공장에 들이는 투자 금액을 늘리고 있다.

내년 상반기 완공이 예정된 화성 반도체공장은 당초 EUV를 적용한 시스템반도체 위탁생산에만 활용될 것으로 예상됐다.

하지만 최근 삼성전자가 화성 새 반도체공장에서 D램 등 메모리반도체도 EUV공정 기반으로 생산하는 방안을 검토할 것이라는 전망이 고개를 들고 있다.

삼성전자 관계자는 “아직 화성 반도체공장에서 생산할 품목은 확정되지 않았다”고 말했다.

EUV는 반도체 성능과 생산효율을 높일 수 있는 미세공정 발전에 필요한 신기술로 삼성전자가 세계에서 가장 먼저 상용화했다.

삼성전자가 D램에도 EUV를 적용해 미세공정 기술 발전에 성과를 낸다면 경쟁사와 큰 기술 격차를 앞세워 반도체사업 수익성을 끌어올리고 고객사 수요를 대거 확보하는 효과를 기대할 수 있다.

삼성전자는 내년 완공을 앞둔 평택 새 반도체공장에도 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 생산설비를 대거 들일 계획을 세우고 있다.

EUV 기반의 D램 미세공정기술 개발이 순조롭게 진행된다면 내년부터 단기간에 생산 비중을 크게 늘리기 위한 대규모 시설투자가 집중될 가능성이 높다.

삼성전자 관계자는 “평택 반도체공장에서 생산할 제품은 아직 정해지지 않았지만 차세대 고성능 D램의 양산체제를 구축해 경쟁력을 확보한다는 계획이 있다”고 말했다.

SK하이닉스 역시 새 공정기술을 적용하는 D램에 공격적 수준의 중장기 투자계획을 내놓았다.

SK하이닉스는 지난해 건설을 시작한 이천 새 반도체공장에 EUV공정 전용공간을 별도로 조성해 최첨단 반도체 공정을 적극 활용하겠다는 계획을 밝힌 적이 있다.

최근 SK하이닉스가 향후 10년 동안 120조 원의 시설투자계획을 내놓은 용인 반도체 공장단지도 D램과 차세대 메모리반도체 전용 생산기지로 운영된다.

삼성전자와 SK하이닉스가 모두 EUV공정 기반의 D램을 미래의 중요한 먹거리로 판단해 일단 대규모 공장을 건설한 뒤 기술이 확보되는 대로 설비 투자를 본격화할 계획을 세워둔 셈이다.

시장 조사기관 IHS 홈페이지의 분석자료에 따르면 세계 D램시장에서 삼성전자는 40%, SK하이닉스는 32%의 점유율을 차지하며 해외 경쟁사에 월등히 앞서 있다.

미국 마이크론의 점유율은 24%로 3위, 대만 난야의 점유율은 2.5%로 4위에 그친다.

삼성전자와 SK하이닉스가 내년부터 새 반도체공장에 최신 공정기술을 활용한 시설투자를 시작한다면 한국 반도체기업의 D램시장 점유율은 지금보다 더 늘어날 공산이 크다.

세계 D램시장에서 삼성전자와 SK하이닉스의 양강체제가 더욱 탄탄하게 자리잡는 셈이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 그동안 D램의 급격한 업황 변동으로 종종 실적에 큰 타격을 받았다.

D램 호황기가 이어질 때 마이크론을 포함한 세계 반도체기업이 일제히 생산투자를 늘리면 반도체 출하량 증가가 곧 공급과잉으로 이어져 업황 악화를 이끄는 일이 많았기 때문이다.

하지만 한국 반도체기업의 공정 기술력이 해외 경쟁사를 크게 앞서나간다면 마이크론 등 업체의 공장 증설 의지를 꺾을 수 있어 업황 악화의 위험을 낮출 수 있다.
 
삼성전자 SK하이닉스, 새 공정기술로 D램 ‘2강체제’로 간다
▲ 삼성전자 화성 EUV공장 조감도(왼쪽)와 SK하이닉스의 이천 M16공장 착공식 현장.

마이크론은 지난해부터 낸드플래시 경쟁력 확보에 집중하는 쪽으로 전략 변화를 시도하고 있어 삼성전자나 SK하이닉스와 비교해 D램 기술 발전속도에서 다소 뒤처지는 모습을 보이고 있다.

삼성전자는 3월 차세대 D램 미세공정 기술인 3세대 10나노급(1z) 공정 개발에 성공해 하반기부터 양산을 앞두고 있다. 

SK하이닉스도 지난해 콘퍼런스콜에서 EUV 기반 미세공정으로 내년부터 3세대 10나노급 D램을 생산하겠다는 계획을 내놓았다.

반면 경제전문지 포브스에 따르면 마이크론은 3세대 10나노급 D램의 시범양산계획을 내년으로 잡아놓고 있을 뿐 본격적으로 대량생산을 시작할 시기는 아직 확정짓지 않았다.

경제분석지 시킹알파는 “마이크론은 D램사업에서 삼성전자나 SK하이닉스에 실질적 경쟁 우위를 확보하지 못하고 있다”며 “삼성전자 등 상위기업의 전략에 큰 영향을 받을 것”이라고 내다봤다. [비즈니스포스트 김용원 기자]

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