◆ 생애

최시영은 삼성전자 파운드리사업부장 사장이다.

반도체 공정 전문가로서 정은승 사장의 뒤를 이어 파운드리사업부장에 올랐다.

파운드리(foundry, 반도체 위탁생산)사업은 삼성전자 시스템반도체사업의 한 축을 이루는 미래 성장 동력으로 주목받고 있다. 

다만 삼성전자는 메모리반도체와 달리 파운드리 분야에서는 아직 도전자 위치에 머물러 있다. 파운드리업계 세계 1위인 대만 TSMC의 장벽이 높다. 최시영은 삼성전자가 TSMC를 따라잡는 성과를 내야 한다.

최시영은 1964년 1월18일 서울에서 태어났다. 연세대학교에서 재료공학 석사학위를, 미국 오하이오주립대학교에서 전자재료공학 박사학위를 받았다.

이후 삼성전자에 입사해 이후 반도체연구소 공정개발팀, 파운드리사업팀 공정개발팀장, 시스템LSI센터 수율(YE)팀장, 파운드리제조기술센터장, 메모리제조기술센터장 등을 역임하며 반도체 공정과 관련한 전문성을 인정받았다.

삼성전자에서 모든 반도체 제품에 관한 공정 개발과 제조부문을 이끌어 왔다는 평가를 받는다.

◆ 활동의 공과

△삼성전자 반도체기술 발전에 기여
최시영은 삼성전자 반도체기술이 세계 최고 수준에 오르는 데 공을 세웠다.

삼성전자 반도체연구소에서 공정 개발을 맡아 삼성전자가 50나노급, 40나노급, 30나노급 등으로 메모리반도체 D램 미세공정을 심화하는 데 기여했다. 또 삼성전자가 세계 최초로 수직적층 낸드플래시를 양산하는 데도 기여했다. Whois? 전문보기

홈페이지
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가족/기타미국 유학 당시 아내와 사이에 아들 1명을 뒀다.

2020년 12월30일 기준 삼성전자 보통주 1만250주를 보유하고 있다. 이는 2021년 2월23일 종가 기준 8억4천만 원에 이르는 규모다. Whois? 전문보기

1986년 연세대학교에서 재료공학 학사학위를 받았다.

1988년 연세대학교에서 재료공학 석사학위를 받았다.

1996년 미국 오하이오주립대학교에서 전자재료공학 박사학위를 받았다.
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1995년 6월부터 1997년 1월까지 삼성전자 메모리본부 반도체연구소 공정개발2팀에서 일했다.

1997년 2월부터 2000년 1월까지 반도체연구소 공정개발팀에서 근무했다.

2000년 2월부터 2009년 1월까지 메모리사업부 반도체연구소 공정개발팀 업무를 수행했다.

2009년 2월부터 2009년 12월까지 반도체연구소 공정개발팀에서 일했다.

2010년 1월부터 2013년 12월까지  반도체연구소 공정개발팀 공정개발3P/J장을 지냈다.

2013년 12월부터 2014년 12월까지 시스템LSI사업부 파운드리사업팀 공정개발팀장을 맡았다.

2014년 12월부터 2015년 12월까지 반도체연구소 공정개발실 공정개발2팀장을 역임했다.

2015년 12월부터 2017년 3월까지 기흥·화성사업장 시스템LSI 제조센터 YE팀장으로 일했다.

2017년 3월부터 2018년 12월까지 기흥·화성·평택사업장 파운드리제조기술센터장을 지냈다.

2018년 12월부터 2020년 12월까지 글로벌인프라총괄 메모리제조기술센터장을 맡았다.

2021년 1월부터 파운드리사업부장으로 근무하고 있다. Whois? 전문보기

2020년 12월 금탑산업훈장을 받았다. 14나노급 이하 시스템반도체 및 수직적층 낸드플래시 개발·양산에 이바지한 공로를 인정받았다. Whois? 전문보기