[비즈니스포스트] 삼성전자와 중국 CXMT의 D램 공정 기술 격차가 양산 시점을 기준으로 5~7년에 달한다는 증권사 분석이 나왔다.

김동원 KB증권 리서치본부장은 15일 보고서에서 "삼성전자와 CXMT는 5~7년의 기술 격차가 있다"며 "중국의 기술 추격에 대한 시장의 우려는 과도하며, CXMT의 추격 속도보다 삼성전자의 기술 혁신 속도와 높은 진입 장벽에 주목할 시점으로 판단된다"고 말했다.
 

CXMT의 주력 D램 공정인 1z(10나노급 3세대)의 경우 삼성전자는 이미 2019년 9월 본격적인 양산을 시작했다.

또 CXMT가 올해 9월 양산에 착수한 1a(10나노급 4세대) 공정 역시 삼성전자는 2021년 10월부터 양산을 시작해 약 5년의 시차가 존재한다.

특히 삼성전자는 선단 공정의 양산 경험과 수율(완성품 비율) 안정화, 고객사 인증 등에서 축적된 경쟁력을 확보하고 있어 중국의 기술 격차 축소 가능성은 제한적인 것으로 분석됐다.

CXMT는 최근 '4F²(포에프스퀘어)' 구조의 D램 기술을 공개했다.

4F²는 D램 반도체 셀의 면적을 줄이고 집적도를 높여 성능과 전력효율, 원가 경쟁력을 끌어올리는 D램 신기술이다. 

이는 중국의 기술적 진전을 보여준 사례지만, 이를 실질적인 시장 경쟁력 확보로 해석하기는 이른 것으로 보인다. 신기술 상용화를 위해서는 성능과 수율, 원가 경쟁력, 고객사 인증 및 양산 능력에 관한 검증이 선행돼야 하기 때문이다.

김 본부장은 "특히 4F² 구조 D램은 아직 상업적 수요와 시장 형성이 가시화되지 않은 상태"라며 "더욱이 삼성전자는 이미 2023년 4F² 기반 수직 채널 트랜지스터 구현을 통해 관련 기술을 발표한 적이 있으나, 현재 수요가 없어 시장이 형성되지 않은 상태"라고 말했다.

메모리 반도체 경쟁력은 단순한 신공정 개발이 아닌 안정적인 양산과 수율 확보 및 고객사 인증 능력에 의해 결정된다.

CXMT가 기존 공정의 기술적 완성도를 높이는 동안 삼성전자는 차세대 선단 공정과 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 기술 고도화를 지속하고 있다.

김 본부장은 "삼성전자 주가는 10월 들어 중국의 추격 우려가 과도하게 반영되며 16% 하락해 주가수익비율(PER) 3배 수준의 역사적 저평가 국면에 진입했다"며 "향후 배당 확대와 자사주 소각을 병행하는 주주환원 정책이 기대되는 만큼, 현재의 주가 조정은 삼성전자의 기업가치 상승 잠재력을 고려할 때 비중 확대의 기회가 될 것"이라고 말했다. 나병현 기자