[비즈니스포스트] SK하이닉스가 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC와 차세대 고대역폭메모리(HBM) 협력을 강화한다.

SK하이닉스는 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 19일 밝혔다.
 
두 회사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다. SK하이닉스는 TSMC와 협업으로 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다는 계획이다.

SK하이닉스 측은 "인공지능(AI) 메모리 글로벌 리더인 당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어내겠다"며 "고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것"이라고 밝혔다.

먼저 두 회사는 HBM 패키지 내부 최하단에 탑재되는 베이스 다이의 성능을 개선키로 했다. 

HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤, 이를 실리콘관통전극(TSV) 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 제어하는 역할을 한다.

또 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 패키징 기술 CoWoS 결합을 최적화하기 위해 협력한다. CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유의 공정으로 인터포저라는 특수 기판 위에 로직 칩과 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 사장 담당은 "TSMC와 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것"이라며 "앞으로 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 '토털 AI 메모리 프로바이더' 위상을 확고히 할 것"이라고 말했다. 김바램 기자