[비즈니스포스트] SK하이닉스가  3분기 고성능 D램 판매를 확대하며 영업손실 규모를 전분기보다 줄였다.

SK하이닉스는 2023년 3분기 매출 9조662억 원, 영업손실 1조7920억 원, 순손실 2조1847억 원을 냈다고 26일 밝혔다.
 
2분기보다 매출은 24% 증가했으며 영업손실과 순손실 규모는 각각 38%, 27% 감소했다.

2022년 3분기와 비교하면 매출은 17% 감소했고 영업손실과 순손실을 내며 모두 적자전환했다.

시장 컨센서스(증권사 전망 평균치)였던 영업손실 1조6515억 원보다는 다소 영업손실 규모가 컸으며 4개 분기 연속 적자를 봤다.

SK하이닉스는 "고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 실적은 지난 1분기를 저점으로 지속적으로 개선되고 있다"며 "특히 대표적인 인공지능(AI)용 메모리인 HBM3, 고용량 DDR5와 함께 고성능 모바일 D램 등 주력제품들의 판매가 호조를 보이며 전분기 대비 매출은 증가하고 영업손실은 감소했다"고 설명했다.

특히 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기만에 흑자전환했다.

SK하이닉스는 매출 증가 추세에 대해 D램과 낸드플래시 모두 판매량이 늘어난 것은 물론, D램 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다.

제품별로 보면 D램은 고성능 서버용 제품 판매 호조에 힘입어 2분기 대비 출하량이 약 20% 늘어났고 단가는 약 10% 상승했다.

낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD(솔리드스테이트드라이브) 중심으로 출하량이 늘었다.

흑자로 돌아선 D램은 생성형 인공지능 붐과 함께 시황이 지속해서 호전될 것으로 전망됐다. 적자가 이어지고 있는 낸드도 시황이 나아지는 조짐이 서서히 나타나고 있다.

실제로 올해 하반기 메모리 공급사들의 감산 효과가 가시화되는 가운데 재고가 줄어든 고객 중심으로 메모리 구매 수요가 창출되고 있으며 제품 가격도 안정세에 접어들고 있다.

SK하이닉스는 이에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. 

SK하이닉스는 D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV에 대한 투자를 확대한다는 계획을 세웠다.

TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술이다.

김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO) 부사장은 "고성능 메모리 시장을 선도하면서 미래 인공지능 인프라의 핵심이 될 회사로 탄탄하게 자리매김하고 있다"며 "앞으로 HBM, DDR5 등 글로벌 수위를 점한 제품들을 통해 기존과는 다른 새로운 시장을 창출해낼 것이며 고성능 프리미엄 메모리 1등 공급자로서의 입지를 지속 강화해 나가겠다"고 말했다. 나병현 기자