삼성전자가 시스템반도체 위탁생산에 활용하는 3나노 미세공정에 새로운 설계구조를 적용해 인텔과 대만 TSMC 등 경쟁사를 크게 앞서나갈 것으로 전망됐다.

도현우 NH투자증권 연구원은 21일 "삼성전자가 차세대 3나노 공정을 통해 TSMC의 반도체 기술 경쟁력을 앞설 수 있을 것"이라고 내다봤다.
 
삼성전자는 최근 미국에서 반도체 위탁생산기술 설명회 '파운드리포럼'을 열고 2021년 양산을 계획중인 3나노 GAA(게이트올어라운드) 설계 기술을 공개했다.

GAA는 반도체에 흐르는 전류의 양을 늘릴 수 있는 새로운 설계 기반을 활용한 기술로 기존 핀펫(FinFET) 설계 기반의 반도체보다 전력효율과 성능을 모두 높일 수 있는 기술이다.

도 연구원은 "GAA는 구조가 복잡해 공정 난이도가 매우 높을 것으로 예상된다"며 "삼성전자가 선두업체인 TSMC를 넘어설 가능성을 엿볼 수 있는 기술"이라고 내다봤다.

TSMC는 현재 반도체 위탁생산시장에서 점유율과 기술력이 모두 삼성전자를 앞서고 있다.

하지만 도 연구원은 삼성전자가 향후 5나노 미세공정 기술에서 TSMC와 격차를 크게 좁힌 뒤 3나노 미세공정부터 경쟁우위를 차지할 수 있을 것이라고 내다봤다.

삼성전자의 GAA 기반 3나노 반도체 미세공정 기술에 외국언론도 좋은 평가를 내놓고 있다.

전자전문매체 씨넷은 전문가를 인용해 "삼성전자의 GAA 기술력은 이미 TSMC를 1년 정도 앞선 것으로 분석된다"며 "인텔과는 2~3년가량의 기술 선두를 확보하고 있을 것"이라고 바라봤다.

도 연구원은 삼성전자가 GAA 공정의 기술적 자신감을 바탕으로 위탁생산사업에 투자를 강화할 것이라고 내다봤다.

삼성전자는 2030년까지 시스템반도체 연구개발과 생산의 투자에 모두 133조 원을 들이겠다는 계획을 세우고 있다.

도 연구원은 "삼성전자의 시스템반도체 위탁생산사업 성장은 전체 기업가치에 긍정적 영향을 미칠 것"이라며 "장기 성장동력 확보로 연결될 수도 있을 것"이라고 내다봤다.

씨넷은 "삼성전자의 GAA 공정 도입은 TSMC와 인텔에 맞서 경쟁하는 데 중요한 변곡점이 될 것"이라며 "반도체 위탁생산산업의 새로운 장을 열 수 있는 잠재력이 있다"고 바라봤다. [비즈니스포스트 김용원 기자]